component
DRV8434ERGER
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TI(德州仪器) Stepper Motor Driver, VQFN-24(4x4). Pinout cross-checked by two models against the datasheet, KiCad symbol/footprint/3D.
3D Model
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Symbol & Footprint
Schematic Symbol
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PCB Footprint
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Datasheet
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README
markdownDRV8434ERGER
TI(德州仪器) · Stepper Motor Driver · VQFN-24(4x4)
DRV8434ERGER from TI(德州仪器), in a VQFN-24(4x4). Pinout and pin descriptions extracted from the manufacturer datasheet (extract_pins, cross-checked by a second model); symbol, footprint, and 3D from KiCad-official CAD.
Pinout
| Pin | Name | Type | Function |
|---|---|---|---|
| 1 | VM | power_in | 电机电源引脚，工作电压范围为 4.5V 至 48V，绝对最大值为 50V，需通过 0.01μF 陶瓷电容和大容量电容旁路到 PGND。 |
| 2 | PGND | power_in | 电源接地引脚，连接到系统接地。 |
| 3 | AOUT1 | output | 绕组 A 输出，连接到电机绕组；连续相节点电压范围为 -1V 至 VVM + 1V。 |
| 4 | AOUT2 | output | 绕组 A 输出，连接到电机绕组；连续相节点电压范围为 -1V 至 VVM + 1V。 |
| 5 | BOUT2 | output | 绕组 B 输出，连接到电机绕组；连续相节点电压范围为 -1V 至 VVM + 1V。 |
| 6 | BOUT1 | output | 绕组 B 输出，连接到电机绕组；连续相节点电压范围为 -1V 至 VVM + 1V。 |
| 7 | PGND | power_in | 电源接地引脚，连接到系统接地。 |
| 8 | VM | power_in | 电机电源引脚，工作电压范围为 4.5V 至 48V，绝对最大值为 50V，需通过 0.01μF 陶瓷电容和大容量电容旁路到 PGND。 |
| 9 | GND | power_in | 器件接地引脚，连接到系统接地。 |
| 10 | DVDD | power_out | 内部 LDO 输出（标称 5V，最大负载 2mA），需通过 0.47μF 至 1μF、额定 6.3V 或 10V 的 X7R 陶瓷电容接地。 |
| 11 | nFAULT | output | 故障指示开漏输出，故障时拉低，需外接上拉电阻（最大灌电流 10mA）。 |
| 12 | VREFB | input | B 桥基准电压输入，该电压设置 H 桥 B 的满量程斩波电流（IFS = VREFB / 1.32 V/A），允许最大值为 3.3V。 |
| 13 | VREFA | input | A 桥基准电压输入，该电压设置 H 桥 A 的满量程斩波电流（IFS = VREFA / 1.32 V/A），允许最大值为 3.3V。 |
| 14 | TOFF | input | 四电平引脚，设置电流斩波期间的衰减模式关断时间（0 为 7μs，1 为 16μs，高阻态为 24μs，330kΩ 接 GND 为 32μs）。 |
| 15 | BDECAY | input | 四电平衰减模式设置引脚，用于设置 H 桥 B 的衰减模式。 |
| 16 | ADECAY | input | 四电平衰减模式设置引脚，用于设置 H 桥 A 的衰减模式。 |
| 17 | BPH | input | 电桥 B 相位输入，逻辑高电平时电流从 BOUT1 流向 BOUT2；逻辑输入低电平最高 0.6V，高电平最低 1.5V，最高 5.5V。 |
| 18 | BEN | input | 电桥 B 使能输入，逻辑高电平使能电桥 B，逻辑低电平禁用电桥并进入高阻态。 |
| 19 | APH | input | 电桥 A 相位输入，逻辑高电平时电流从 AOUT1 流向 AOUT2；逻辑输入低电平最高 0.6V，高电平最低 1.5V，最高 5.5V。 |
| 20 | AEN | input | 电桥 A 使能输入，逻辑高电平使能电桥 A，逻辑低电平禁用电桥并进入高阻态。 |
| 21 | nSLEEP | input | 睡眠模式输入，逻辑高电平使能器件，逻辑低电平进入低功耗睡眠模式；内部下拉，低电平脉冲可清除故障。 |
| 22 | CPL | passive | 电荷泵负开关节点，需在 CPH 与 CPL 之间连接额定电压为 VM 的 X7R 0.022μF 陶瓷飞跨电容。 |
| 23 | CPH | passive | 电荷泵开关节点，需在 CPH 与 CPL 之间连接额定电压为 VM 的 X7R 0.022μF 陶瓷飞跨电容。 |
| 24 | VCP | power_out | 电荷泵输出，需通过 X7R 0.22μF 16V 陶瓷电容连接至 VM，VCP 工作电压为 VVM + 5V（6V < VVM < 48V）。 |
| 25 | EP | passive | Exposed pad (from the footprint; not named in the datasheet pin table). |
Key specifications
| Parameter | Value |
|---|---|
| Manufacturer | TI(德州仪器) |
| Package | VQFN-24(4x4) |
| Category | Motor Driver ICs |
| Pins | 25 |
Electrical characteristics
Limits as printed in the datasheet (page.json metadata.characteristics carries them as data).
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit | Conditions | Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VM 电源电压（确保正常直流运行） | VVM | 4.5 | 48 | V | 8 | ||
| 逻辑电平输入电压 | VI | 0 | 5.5 | V | 8 | ||
| 基准 rms 电压范围（VREFA、VREFB） | VREF | 0.05 | 3.3 | V | 8 | ||
| 施加的 PWM 信号频率 | fPWM | 0 | 100 | kHz | APH、AEN、BPH、BEN、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2 | 8 | |
| 电机满量程电流 (xOUTx) | IFS | 0 | 2.5 | A | 8 | ||
| 电机均方根电流 (xOUTx) | Irms | 0 | 1.8 | A | 8 | ||
| 工作环境温度 | TA | -40 | 125 | °C | 8 | ||
| 工作结温 | TJ | -40 | 150 | °C | 8 | ||
| VM 工作电源电流 | IVM | 5 | 6.5 | mA | nSLEEP = 1，无电机负载 | 9 | |
| VM 睡眠模式电源电流 | IVMQ | 2 | 4 | μA | nSLEEP = 0 | 9 | |
| nSLEEP 复位脉冲 | tRESET | 20 | 40 | μs | nSLEEP 低电平至清除故障 | 9 | |
| 唤醒时间 | tWAKE | 0.8 | 1.2 | ms | nSLEEP = 1 至输出转换 | 9 | |
| 开通时间 | tON | 0.8 | 1.2 | ms | VM > UVLO 至输出转换 | 9 | |
| 内部稳压器电压 | VDVDD | 4.75 | 5 | 5.25 | V | 无外部负载，6V < VVM < 48V | 9 |
| 内部稳压器电压 | VDVDD | 4.2 | 4.35 | V | 无外部负载，VVM = 4.5V | 9 | |
| 输入逻辑低电平电压 | VIL | 0 | 0.6 | V | 9 | ||
| 输入逻辑高电平电压 | VIH | 1.5 | 5.5 | V | 9 | ||
| 输入逻辑低电平电流 | IIL | -1 | 1 | μA | VIN = 0V | 9 | |
| 输入逻辑低电平电压 (ADECAY、BDECAY、TOFF) | VI1 | 0 | 0.6 | V | 连接至 GND | 9 | |
| 四电平输入 330kΩ 至 GND 电压 | VI2 | 1 | 1.25 | 1.4 | V | 330kΩ ± 5% 至 GND | 9 |
| 输入高阻抗电压 | VI3 | 1.8 | 2 | 2.2 | V | 高阻抗（>500kΩ 至 GND） | 9 |
| 输入逻辑高电平电压 (四电平) | VI4 | 2.7 | 5.5 | V | 连接至 DVDD | 9 | |
| 输出逻辑高电平泄漏电流 | IOH | -1 | 1 | μA | 9 | ||
| 高侧 FET 导通电阻 | RDS(ONH) | 165 | 200 | mΩ | TJ = 25°C、IO = -1A | 9 | |
| 高侧 FET 导通电阻 | RDS(ONH) | 250 | 300 | mΩ | TJ = 125°C、IO = -1A | 9 | |
| 高侧 FET 导通电阻 | RDS(ONH) | 280 | 350 | mΩ | TJ = 150°C、IO = -1A | 9 | |
| 低侧 FET 导通电阻 | RDS(ONL) | 165 | 200 | mΩ | TJ = 25°C、IO = 1A | 9 | |
| 低侧 FET 导通电阻 | RDS(ONL) | 250 | 300 | mΩ | TJ = 125°C、IO = 1A | 9 | |
| 低侧 FET 导通电阻 | RDS(ONL) | 280 | 350 | mΩ | TJ = 150°C、IO = 1A | 9 | |
| 跨阻增益 | KV | 1.254 | 1.32 | 1.386 | V/A | VREF = 3.3V | 9 |
| 电流跳变精度 (0.25A < IO < 0.5A) | ΔITRIP | -12 | 12 | % | 0.25A < IO < 0.5A | 10 | |
| 电流跳变精度 (0.5A < IO < 1A) | ΔITRIP | -6 | 6 | % | 0.5A < IO < 1A | 10 | |
| 电流跳变精度 (1A < IO < 2.5A) | ΔITRIP | -4 | 4 | % | 1A < IO < 2.5A | 10 | |
| AOUT 和 BOUT 电流匹配 | IO,CH | -2.5 | 2.5 | % | IO = 2.5A | 10 | |
| VM UVLO 锁定 (VM 下降，UVLO 下降) | VUVLO | 4.1 | 4.25 | 4.35 | V | VM 下降，UVLO 下降 | 10 |
| VM UVLO 锁定 (VM 上升，UVLO 上升) | VUVLO | 4.2 | 4.35 | 4.45 | V | VM 上升，UVLO 上升 | 10 |
| 热关断 | TOTSD | 150 | 165 | 180 | °C | 内核温度 TJ | 10 |
| 节点热关断阈值 | RθJA | 39 | °C/W | 结至环境热阻，RGE (VQFN 24 引脚) | 8 | ||
| 结至外壳（顶部）热阻 | RθJC(top) | 28.9 | °C/W | RGE (VQFN 24 引脚) | 8 | ||
| 结至电路板热阻 | RθJB | 16 | °C/W | RGE (VQFN 24 引脚) | 8 | ||
| 结至外壳（底部）热阻 | RθJC(bot) | 3.4 | °C/W | RGE (VQFN 24 引脚) | 8 | ||
| 睡眠时间 | tSLEEP | 120 | μs | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 9 | ||
| 电荷泵开关频率 | f(VCP) | 360 | kHz | VVM > UVLO；nSLEEP = 1 | 9 | ||
| 输入逻辑迟滞 | VHYS | 150 | mV | 9 | |||
| 输入逻辑高电平电流 | IIH | 100 | μA | VIN = 5V | 9 | ||
| 传播延迟 | tPD | 800 | ns | 从 xPH、xEN、xINx 输入到电流改变 | 9 | ||
| 输出上拉电流 | IO | 10 | μA | 9 | |||
| 输出逻辑低电平电压 | VOL | 0.5 | V | IO = 5mA | 9 | ||
| 输出压摆率 | tSR | 240 | V/µs | VM = 24V，IO = 1A，介于 10% 和 90% 之间 | 9 | ||
| VREF 泄漏电流 | IVREF | 8.25 | μA | VREF = 3.3V | 9 | ||
| PWM 关断时间 (TOFF = 0) | tOFF | 7 | μs | TOFF = 0 | 10 | ||
| PWM 关断时间 (TOFF = 1) | tOFF | 16 | μs | TOFF = 1 | 10 | ||
| PWM 关断时间 (TOFF = 高阻态) | tOFF | 24 | μs | TOFF = 高阻态 | 10 | ||
| PWM 关断时间 (TOFF = 330kΩ 至 GND) | tOFF | 32 | μs | TOFF = 330kΩ 至 GND | 10 | ||
| 欠压迟滞 | VUVLO,HYS | 100 | mV | 上升至下降阈值 | 10 | ||
| 过流保护 | IOCP | 4 | A | 流经任何 FET 的电流 | 10 | ||
| 过流抗尖峰时间 | tOCP | 2 | μs | 10 | |||
| 热关断迟滞 | THYS_OTSD | 20 | °C | 内核温度 TJ | 10 |
CAD (KiCad official)
- Symbol:
DRV8434ERGER - Footprint:
Package_DFN_QFN:QFN-24-1EP_4x4mm_P0.5mm_EP2.6x2.6mm - 3D model: VQFN-24(4x4) (KiCad packages3D, STEP)
- 3D model files:
drv8434erger-etched.step/drv8434erger-etched.glbcarry the MPN laser-etched on the die in a toggleableAdom.LaserEtchgroup (Fusion-ready);drv8434erger.step/drv8434erger.glbare the bare package body.
Provenance
Data extracted from the manufacturer datasheet, not a distributor listing:
- Datasheet: TI(德州仪器) datasheet (49 pp, sha256
2fcf23c37e777f4b, retrieved 2026-10-21, tier: lcsc) - Datasheet language: Chinese. Pin names, descriptions, and specs on this page were extracted and translated to English by ds2sf; the linked PDF is the manufacturer original.
- Extractor: parts-factory
2.0.0/extract_pins 0.3, primaryclaude-haiku-5-5(text), consensusclaude-sonnet-5-5(agreed), guards: pin_guards 0.1: passed. Pins are checked against the footprint pad set and their cited datasheet pages before publish. - CAD: KiCad official libraries (CC-BY-SA 4.0).